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 准连续半导体激光器面阵(QCW-LDS)

准连续半导体激光器面阵(QCW-LDS)

该激光器是面阵(多组叠阵)形式封装的准连续半导体激光器(QCW Laser Diode G-Stack),作为泵浦源使用,具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

什么是激光二极管(LD)?- 激光二极管和激光二极管堆栈的定义。

激光二极管(LD、注入式激光二极管、ILD 或二极管激光器)是一种利用受激发射产生聚焦单色光的半导体器件。它的工作原理是通过受激辐射发射(缩写为 LASER)放大光,通过在半导体材料中形成特定的排列来实现。这种排列方式可以有组织地发射光子,从而产生一束集中而强烈的、具有独特波长的光束。

激光二极管堆栈就像一组激光二极管在一个封装或阵列中协同工作。这种设置使组合后的激光更强、更有力。

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主要特点

• 人眼安全;

• 体积小,重量轻;

• 光电转换效率高;

• 可适应严苛的工作环境

应用领域

• 激光测距

• 激光雷达

• 激光通信


技术指标



规格型号:LM-808-Q3600-F-G6H3-P0.55-0

参数

单位

最小值

典型值

最大值

峰值功率(@25℃)

W

/

3600

5400

中心波长(@25℃)

nm

/

808

/

中心波长范围

nm

±2

光谱宽度(FWHM)

nm

/

3

/

快轴发散角(FWHM)

°

/

36

/

慢轴发散角(FWHM)

°

/

8

/

波长温度系数

nm/℃

/

0.26

0.28

脉冲宽度

μs

/

200

500

占空比

%

/

0.4

1

工作电流

A

/

200

300

电光转换效率

%

50

55

/

工作电压

V

/

34.2

36

巴条数目

-

/

18

/

巴条间距

mm

/

0.55

/

工作温度

-45

25

70

存储温度

-60

25

85

备注:波长、功率、外形结构等其他技术指标均可接受定制


尺寸图

image.png

其他规格

image.png

LM-808-Q5600-F-G7H3-P0.55-0